Nome del prodotto: bersaglio per sputtering allo scandio
Soprannome del prodotto: target scandio, gruppo target scandio, target Sc
Aspetto: argento
Punto di fusione: 1541 gradi
Punto di ebollizione: 2836 gradi
Densità: 2,985 g/cm3
Purezza: Sc/TREM Maggiore o uguale al 99,99% TREM Maggiore o uguale al 99,9%
Density: >99.5%
Granulometria media:<500μm
Rugosità indicata:<2μm
Specifiche: bersaglio piano, bersaglio rotondo, bersaglio rotante (le dimensioni possono essere personalizzate in base alle esigenze del cliente)
Rilegatura: brasatura all'indio (il metodo di rilegatura e il materiale della piastra posteriore possono essere personalizzati in base ai clienti)
Caratteristiche tecniche: fusione in ultra vuoto, pulizia del target e lavorazione della plastica
Usi del target scandio:
Il target dello sputtering di scandio è un materiale chiave per la preparazione di film sottili di scandio metallico attraverso la deposizione fisica in fase di vapore (PVD). Il gruppo target in scandio è composto da un target in scandio grezzo e una piastra posteriore saldati insieme. Il target grezzo in scandio è il materiale target per il bombardamento con fasci ionici ad alta velocità ed è la parte centrale del target di sputtering. Durante il processo di rivestimento a spruzzo, dopo che il target di scandio è stato colpito dagli ioni, gli atomi di scandio sulla sua superficie vengono spruzzati e depositati sul substrato. Su di essi vengono realizzati film sottili elettronici. Poiché il metallo di scandio ad elevata purezza è morbido, il bersaglio di sputtering deve essere installato in una macchina speciale per completare il processo di sputtering. L'interno della macchina è un ambiente ad alta tensione e ad alto vuoto. Pertanto, il target grezzo di scandio deve essere unito alla piastra posteriore attraverso diversi processi di saldatura. La piastra posteriore svolge principalmente il ruolo di fissare il bersaglio dello sputtering e deve avere una buona conduttività elettrica e termica ed è generalmente realizzata in rame. Esistono quattro metodi di legame comunemente usati: saldatura a fascio di elettroni, saldatura per diffusione, brasatura con indio e incollaggio. Tra questi, il legante per brasatura con indio è il più utilizzato.
I film metallici di scandio possono essere utilizzati per preparare film piezoelettrici AlScN, che attualmente sono materiali semiconduttori molto promettenti. Il materiale della pellicola piezoelettrica AlScN presenta vantaggi significativi come elevata velocità del suono, buona stabilità termica, ampio intervallo di banda ed è particolarmente compatibile con il processo CMOS. Allo stesso tempo, può superare il piccolo coefficiente piezoelettrico e il coefficiente di accoppiamento elettromeccanico della pellicola piezoelettrica di nitruro di alluminio (AlN). Ha importanti applicazioni nelle onde acustiche di massa (BAW), nelle onde acustiche superficiali (SAW), nella raccolta di energia, nel rilevamento a ultrasuoni e nei transistor ad effetto di campo. Drogando un elevato contenuto di scandio nel nitruro di alluminio, le prestazioni piezoelettriche e il coefficiente di accoppiamento elettromeccanico dei dispositivi a radiofrequenza possono essere significativamente migliorati. L'AlScN può sostituire i materiali in nitruro di alluminio nei filtri BAW (FBAR)/SAW front-end a radiofrequenza 5G e ha grandi prospettive di applicazione nel campo dei dispositivi di potenza di nuova generazione.
In semiconductor chip coating, there are strict requirements on the purity and microstructure of the scandium target. If the impurity content is too high, the formed film will not be able to achieve the required electrical properties for use, and will easily form on the wafer during the sputtering process. Particles are formed on the film, causing short circuit or damage to the circuit, which will seriously affect the performance of the film. The scandium targets produced by HNRE use high-purity scandium raw material Sc/TREM>99.99%. After rolling porcess, the grain size is less than 500μm and the density is>99,5%. È stato fornito a molte aziende di semiconduttori di fama mondiale.
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